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BCW33LT1G中文资料

BCW33LT1G图片

BCW33LT1G外观图

  • 大小:192.5KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Diode; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:32V; DC Current Gain Min (hfe):420; Package/Case:3-SOT-23; Junction Temperature, Tj max:150°C; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大:225mW
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BCW33LT1G-NDBCW33LT1GOSTR

BCW33LT1G供应商

更新时间:2023-02-09 11:08:34
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